Контроль товщини тонких плівок еліпсометричним методом

Автор(и)

  • А. В. Юшко Київський національний університет технологій та дизайну, Ukraine
  • М. А. Зенкін Київський національний університет технологій та дизайну, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.20535/2077-7264.4(30).2010.55700

Ключові слова:

контроль товщини, тонка діелектрична плівка, еліпсометричний метод, коефіцієнт заломлення

Анотація

Проведено опис роботи лазерного еліпсометричного мікроскопа ЛЭМ-3 для контролю товщини тонких плівок. Показано, що еліпсометричні методи контролю дозволяють вимірювати товщини та коефіцієнти заломлення тонких прозорих діелектричних плівок у діапазоні товщин від 0,3 нм до 1500 нм (0,0003–1,5 мкм) з похибкою вимірювання ±0,3 нм.

Біографія автора

М. А. Зенкін, Київський національний університет технологій та дизайну

д.т.н., професор

Посилання

Jellipsometricheskij kompleks dlja issledovanija bystroprotekajushhih vysokotemperaturnyh processov / S. V. Ryhlickij, V. A. Shvec, S. I. Chikichev, V. Ju. Prokop'ev, E. V. Spesivcev // Avtometrija. — 2004. — T. 40. — № 6. — S. 61—69.

Ryhlickij S. V. Skanirujushhij mikrojellipsometr / Ryhlickij S. V., Spesivcev E. V., Shvec V. A., Prokop'ev V. Ju. // Fotometrija i ee metrologicheskoe obespechenie : Vserossijskaja nauch.-tehn. konf., 15-17 apr. 2009 g. : tezisy dokl. — 2009. — 18. — S. 34—36.

Shvec V. A. Jellipsometricheskaja ustanovka vysokogo vremennogo razreshenija dlja izuchenija vysokotemperaturnyh processov / Shvec V. A., Ryhlickij S. V., Spesivcev E. V., Prokop'ev V. Ju. // Fotometrija i ee metrologicheskoe obespechenie : Vserossijskaja nauch.-tehn. konf., 15-17 apr. 2009 g. : tezisy dokl. — 2009. — 18. — S. 57—58.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-12-30

Як цитувати

Юшко, А. В., & Зенкін, М. А. (2010). Контроль товщини тонких плівок еліпсометричним методом. Технологія і техніка друкарства, (4(30), 88–91. https://doi.org/10.20535/2077-7264.4(30).2010.55700

Номер

Розділ

Технологічні процеси